|
ЭНЕРГЕТИКА
ДіодиДля проведення досліджень в експериментальній фізиці широко використовують імпульсні джерела живлення для потужніх лазерів, прискорювачів заряджених частинок, рентгенівських апаратів. Але для створення таких імпульсних джерел живлення потрібно мати потужні перемикаючі пристрої, які б перемикали, із достатньо високою швидкістю джерела живлення із режиму накопичення енергії в режими розряду та навпаки. Такі перемикаючі пристрої повинні витримувати напруги порядку 103 - 106 В та струми густиною 102 - 105 А/см2 та мати можливість генерувати імпульси із частотою 104 Гц і вище. Таким параметрам відповідають певні типи напівпровідникових діодів. У роботі розглянуто напівпровідникові діодні перемикачі струму для потужньої наносекундної імпульсної техніки. Особливу увагу приділено дрейфовим діодам із різким відновленням ДДРВ та SOS – діодам. Перший тип діодів був запропонований і розроблений у Фізико-технічному інституті ім. А. Ф. Іоффе РАН, другий в Інституті електрофізики УрВ РАН. За допомогою ДДРВ вдається перемикати потужність до сотень мегаватів за наносекунду при щільності струму порядку 102 А/см2. SOS – діоди дозволяють перемикати потужності в кілька гігават за такі ж короткі часи при щільності струму більше 103 А/см2. Ще одною позитивною рисою таких напівпровідникових пристроїв є їх великий строк роботи. Розробка генераторів потужних наносекундних імпульсів та напівпровідникових перемикачів струму сприятиме розвитку робіт з релятивістської надвисокочастотної електроніки, широкополосної радіолокації, систем живлення лазерів, прискорювачів електронів. Список использованной литературы 1. Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов. - М.: Сов. радио, 1980. - 293 с. 2. Крутякова М.Г., Чариков Н.А., Юдин Б.В. Полупроводниковые приборы и основы их проектрования. - М.: Радио и связь, 1983. - 350 с. 3. Пасынков В.В., Чиркин Л.К., Шинков А.Д. Полупроводниковые приборы. - М.: Высш. шк., 1973. - 420 с. 4. И. В. Грехов, Г. А. Месяц // Успехи физических наук. Т 175, № 7, 2005. 5. С. А. Дарзнек, С. Н. Рукин, С. Н. Цыпанов // ЖТФ. Т 70, № 4, 2000. 6. А. В. Рожков, В. А. Козлов // Физика и техника полупроводников. Т. 37, вип. 12, 2003. 7. А. В. Рожков, В. А. Козлов, А. Ф. Кардо-Сысоев // Физика и техника полупроводников. Т. 37, вип. 12, 2003. 8. Тучкевич В. М., Грехов И. В. Новые принципы коммутации больших мощностей полупроводниковыми приборами. – Л.: Наука, 1988. – 117 с. 9. Дарзнек С.А., Котов Ю.А., Месяц Г.А., Рукин С.Н. // ДАН. 1994. Т. 334. № 3. С. 304-306. 10. Месяц Г А Генерирование мощных наносекундных импульсов. – М.: Сов. радио, 1974., 234 с. 11. Месяц Г. А. Импульсная энергетика и электроника. – М.: Наука, 2004. – 148 с. 12. Гришанов Б.И. SOS-диоды – новые ключи в мощной импульсной технике // ДАН. 2004. Т. 178. № 2. с. 128-132.
Просмотров: 238 |
